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IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、雙極型達(dá)林頓管等，單個元件電壓可達(dá)4.0KV（pt結(jié)構(gòu)）一6.5KV（npt結(jié)構(gòu)），電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。IXXN110N65C4H1德國艾賽斯IGBT模塊功率模塊

IGBT在高頻下工作時，其總損耗與開關(guān)頻率的關(guān)系比較大，因此，若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開關(guān)主要是降低了開關(guān)損耗，可使IGBT模塊工作頻率大大提高。隨著IGBT模塊耐壓的提高，IGBT的開關(guān)頻率相應(yīng)下降，下面列出英飛凌模塊不同耐壓，不同系列工作頻率的參考值。供應(yīng)原裝大功率1單元單管英飛凌IGBT模塊

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富士電機(jī)IGBT模塊已開發(fā)用作電機(jī)變速驅(qū)動器的功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件，不間斷電源等。IGBT是一種半導(dǎo)體器件，它將功率MOSFET的高速開關(guān)性能與雙極晶體管的高電壓/高電流處理能力相結(jié)合。模塊 富士FUJI IGBT模塊 代理 原裝現(xiàn)貨

原廠三菱IGBT模塊現(xiàn)貨供應(yīng)，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。