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如今，IGBT已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源領(lǐng)域。與MOSFET相同，它也是一種壓控型器件。其開關(guān)性能可通過IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)置加以控制或影響。優(yōu)化IGBT開關(guān)性能對(duì)于系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言十分重要，因?yàn)椴煌拈_關(guān)損耗會(huì)影響散熱設(shè)計(jì)和IGBT使用壽命。英飛凌IGBT模塊1單元BSM系列1200V/1700V GA1單元系列

德國(guó)infineon公司生產(chǎn)的IGBT模塊品種繁多，為了使客戶選型方便，我們對(duì)其按電壓等級(jí)進(jìn)行分類，共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五種電壓等級(jí)，每一電壓等級(jí)中又按內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行二級(jí)分類。英飛凌IGBT模塊BSM系列GB2單元功率模塊，可詳細(xì)咨詢客服

IGBT使用注意事項(xiàng)（1）操作過程中要佩戴防靜電手環(huán)（2）盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸（3）IGBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色海綿是防靜電材料，用戶用接插件引線時(shí)取下防靜電材料立即插上引線（4）在焊接作業(yè)時(shí)，設(shè)備容易引起靜電的產(chǎn)生，為了防止靜電的產(chǎn)生，先將設(shè)備處于良好的接地狀態(tài)下。英飛凌IGBT模塊4單元H橋電子元器件半導(dǎo)體

選擇IGBT模塊時(shí)，通常是先計(jì)算通過IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過載、電網(wǎng)波動(dòng)、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應(yīng)的IGBT模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計(jì)算耗散功率，通過熱阻核算具最高結(jié)溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過最高結(jié)溫可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號(hào)齊全

因?yàn)榇蠖鄶?shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作電壓，均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過載，電網(wǎng)波動(dòng)，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。全新正品英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導(dǎo)體